设 定 IRAM 地 址 或 卷 动地 | 0 | 0 | 0 | 1 | AC 5 | AC 4 | AC 3 | AC 2 | AC 1 | AC0 | SR=1:AC5—AC0 为 垂直卷动地址SR=0:AC3—AC0 为 ICON IRAM 地址 | 72us |
设定绘 图RAM 地址 | 0 | 0 | 1 | AC 6 | AC 5 | AC 4 | AC 3 | AC 2 | AC 1 | AC0 | 设定CGRAM 地址到 地址计数器 (AC) | 72us |
备注:
1、当模块在接受指令前,微处理顺必须先确认模块内部处于非忙碌状态,即读取BF 标
志时BF 需为0,方可接受新的指令;如果在送出一个指令前并不检查BF 标志,那么 在前一个指令和这个指令中间必须延迟一段较长的时间,即是等待前一个指令确实执行 完成,指令执行的时间请参考指令表中的个别指令说明。
2、“RE”为基本指令集与扩充指令集的选择控制位元,当变更“RE”位元后,往后的指 令集将维持在最后 的状态,除非再次变更“RE”位元,否则使用相同指令集时,不需 每次重设“RE”位元。
具体指令介绍:
1、清除显示
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
功能:清除显示屏幕,把DDRAM 位址计数器调整为“00H”
2、位址归位
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
功能:把DDRAM 位址计数器调整为“00H”,游标回原点,该功能不影响显示DDRAM
3、位址归位
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
功能:把DDRAM 位址计数器调整为“00H”,游标回原点,该功能不影响显示DDRAM 功能:执行该命令
后,所设置的行将显示在屏幕的第一行。显示起始行是由Z地址计数器控制的,该命令自动将A0-A5 位地址送入Z 地址计数器,起始地址可以是0-63 范围内任意一行。Z 地址计数器具有循环计数功能,用于显示行扫描同步,当扫描完一行后自动加一。
4、显示状态开/关
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
功能: D=1; 整体显示 ON C=1; 游标 ON B=1; 游标位置 ON
5、游标或显示移位控制
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
功能:设定游标的移动与显示的移位控制位:这个指令并不改变DDRAM的内容
6、功能设定
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
功能:DL=1(必须设为1) RE=1;扩充指令集动作 RE=0:基本指令集动作
7、设定CGRAM 位址
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
L | L | L | H | AC5 | AC4 | AC3 | AC2 | AC1 | AC0 |
功能:设定CGRAM 位址到位址计数器(AC)
8、设定DDRAM 位址
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
L | L | H | AC6 | AC5 | AC4 | AC3 | AC2 | AC1 | AC0 |
功能:设定DDRAM 位址到位址计数器(AC)
9、读取忙碌状态(BF)和位址
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
L | H | BF | AC6 | AC5 | AC4 | AC3 | AC2 | AC1 | AC0 |
功能:读取忙碌状态(BF)可以确认内部动作是否完成,同时可以读出位址计数器(AC)的值
10、写资料到RAM
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
功能:写入资料到内部的RAM(DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM)
11、读出RAM 的值
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
功能:从内部RAM 读取资料(DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM)
12、 待命模式(12H)
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
功能:进入待命模式,执行其他命令都可终止待命模式
13、卷动位址或IRAM 位址选择(13H)
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
功能:SR=1;允许输入卷动位址 SR=0;允许输入IRAM 位址
14、反白选择(14H)
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
功能:选择4 行中的任一行作反白显示,并可决定反白的与否
15、睡眠模式(015H)
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
功能:SL=1;脱离睡眠模式 SL=0;进入睡眠模式
16、扩充功能设定(016H)
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
功能:RE=1;扩充指令集动作 RE=0;基本指令集动作 G=1;绘图显示ON G=0;绘图显示OFF
17、设定IRAM位址或卷动位址(017H)
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
L | L | L | H | AC5 | AC4 | AC3 | AC2 | AC1 | AC0 |
功能:SR=1;AC5~AC0 为垂直卷动位址 SR=0;AC3~AC0 写ICONRAM位址
18、设定绘图RAM 位址(018H)
L | L | H | AC6 | AC5 | AC4 | AC3 | AC2 | AC1 | AC0 |
|
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
功能:设定GDRAM 位址到位址计数器(AC)
五、显示坐标关系
1、图形显示坐标
水平方向X—以字节单位 垂直方向Y—以位为单位
汉字显示坐标
| X 坐标 |
Line1 | 80H | 81H | 82H | 83H | 84H | 85H | 86H | 87H |
Line2 | 90H | 91H | 92H | 93H | 94H | 95H | 96H | 97H |
Line3 | 88H | 89H | 8AH | 8BH | 8CH | 8DH | 8EH | 8FH |
Line4 | 98H | 99H | 9AH | 9BH | 9CH | 9DH | 9EH | 9FH |
2、字符表
代码(02H---7FH)
六、显示RAM
1、文本显示RAM(DDRAM)
1、文本显示RAM(DDRAM)
文本显示RAM 提供8 个×4 行的汉字空间,当写入文本显示RAM 时,可以分别显示
CGROM、HCGROM 与CGRAM 的字型;ST7920A 可以显示三种字型 ,分别是半宽 的HCGROM 字型、CGRAM 字型及中文 CGROM 字型。三种字型的选择,由在 DDRAM 中写入的编码选择,各种字型详细编码如下: 显示半宽字型:将一位字节 写入DDRAM 中,范围为02H-7FH的编码。
显示CGRAM 字型:将两字节编码写入DDRAM中,总共有0000H,0002H,0004H,
0006H 四种编码 显示中文字形:将两字节编码写入DDRAMK ,范围为
A1A0H-F7FFH(GB 码)或A140H-D75FH(BIG5 码) 的编码。
绘图RAM(GDRAM)
绘图显示RAM 提供128×8 个字节的记忆空间,在更改绘图RAM 时,先连续写入水 平与垂直的坐标值,再写入两个字节的数据到绘图RAM,而地址计数器(AC)会自 动加一;在写入绘图RAM 的期间,绘图 显示必须关闭,整个写入绘图RAM 的步骤 如下:
1、关闭绘图显示功能。
2、先将水平的位元组坐标(X)写入绘图RAM 地
址;再将垂直的坐标(Y)写入绘图RAM地址;
将D15——D8 写入到RAM 中;
将D7——D0 写入到RAM
中;打开绘图显示功能。
绘图显示的缓冲区对应分布请参考“显示坐标”
游标/闪烁控制
ST7920A 提供硬件游标及闪烁控制电路,由地址计数器(address counter)的值来指定DDRAM 中的游标 或闪烁位置。